题  目：Three generations of IC technologies from Silicon, GaAs, to high power GaN microelectronics

内容简介：We initiated the 1st seminar in August with focus on mainstream silicon MOSFET IC (G1). This upcoming seminar 2 will be on compound semiconductor IC (CSIC) of GaAs MESFET and PHEMT technologies (G2).

GaAs has some technical advantages over silicon. Higher electron mobility enables faster speed than in silicon. Cellphones, for instance, typically rely on high-speed GaAs chips to process high-frequency signals that arrive faster than silicon can handle. Other advantages include low noise, high-power, LED applications. We will review IC device fabrication process technologies, MESFET and PHEMT layer structures, wafer manufacture and automated testing, high-speed digital switch and power amplifier applications, wafer-level device characterizations, ESD and failure analysis, quality and reliability. The next planned seminar will be focused on the latest wide-bandgap GaN (G3) IC technologies.

报告人：暨南大学  高峰  教授

报告人简介：研究方向为模拟集成电路设计、射频功率器件的测量与表征、集成电路芯片质量和可靠性的测量与评估。1992年博士毕业于美国佛罗里达大学，1992-1995年任密西根大学安娜堡分校和伊利诺伊大学博士后研究员。1995-2018年担任美国高科技公司（Skyworks Solutions、MACOM Technology等）的高级总工程师和高级工程经理，从事半导体器件和IC芯片的技术研发，编写美国专利，撰写或合著60多篇国际期刊或会议论文。2019年1月到现在担任暨南大学讲座教授，2020年入选广东省“银龄专家”。

时  间：2021年10月24日（周日） 上午 10：00开始

地  点：腾讯会议  会议ID：823 576 576

热烈欢迎广大师生参加!

信息科学技术学院

2021年10月18日