题  目：理论、模拟和计算新兴光电器件

报告人：香港大学  陈冠华  教授

报告人简介：最近五年，陈教授致力于工业／实验尺度的电子器件的量子模拟，创立开放体系的第一性原理量子力学方法及跨尺度电子器件模拟方法。目前，电子芯片的特征尺寸已经达到10纳米量级。随着尺寸的日益缩小，量子效应逐步成为其基本特性。2011年，陈冠华教授率先提出多尺度量子力学/电磁学（QM/EM）耦合方法，将开放体系量子输运模型同电磁学模型衔接起来，充分考虑量子效应对器件的影响（Phys. Chem. Chem. Phys. 13, 14365 (2011)）。该模型可进一步同工业界现有的简约模型、电路模型整合，实现从原子细节出发预测电路的行为。该方向的一系列工作极大推动了电子密度泛函理论的发展，并促进了第一原理计算方法在复杂电子开放体系的广泛应用。由于陈冠华教授在复杂电子体系的量子力学方法发展、激发态的线性标度算法和多尺度量子力学/电磁学（QM/EM）耦合方法等领域的杰出贡献，2014年其被授予美国物理学会会士。

时  间：2016年11月18日（周五）下午2：30始

地  点：教学大楼A602室

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信息科学技术学院/网络空间安全学院

2016年11月15日